RGWS00TS65GC13-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本IGBT管/模塊具備50A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），可滿足高功率密度場(chǎng)景的技術(shù)需求。導(dǎo)通狀態(tài)下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.6V，有效減少導(dǎo)通損耗。內(nèi)部續(xù)流二極管支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，提升了整體能效表現(xiàn)。該產(chǎn)品適用于多種功率轉(zhuǎn)換設(shè)備，如電源系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置及智能電網(wǎng)相關(guān)應(yīng)用，提供穩(wěn)定可靠的電氣性能與長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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