RGTH00TS65GC13-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具備50A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率場合。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置二極管可承受50A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，提升了整體能效與穩(wěn)定性。模塊設(shè)計(jì)兼顧性能與可靠性，適合多種高效能電力轉(zhuǎn)換場景的應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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