APT68GA60B-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.8A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本IGBT管/模塊具備40A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），滿(mǎn)足中高功率場(chǎng)景下的開(kāi)關(guān)需求。導(dǎo)通時(shí)集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有效控制導(dǎo)通損耗。內(nèi)部集成續(xù)流二極管，其正向電流（IF）達(dá)40A，正向壓降（Vf）為1.8V，確保穩(wěn)定工作。該器件適用于電源變換、智能電網(wǎng)、高性能電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景，具備良好的熱穩(wěn)定性與開(kāi)關(guān)性能，可為系統(tǒng)提供高效可靠的支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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