RGS80TS65HRC11-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:40A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.6V 參數4:二極管正向電流:1.8A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT管/模塊,主要參數包括:集電極電流(Ic)為40A,集射極擊穿電壓(Vces)達650V,確保在高壓環境下穩定工作;集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V,有助于降低導通損耗。內置二極管的正向電流(IF)為40A,正向壓降(Vf)為1.8V,具備良好的續流能力。該器件適用于需要高效能功率轉換與控制的場景,如智能電網、可再生能源系統及精密電機驅動等領域,提供可靠、高效的性能支持。
