APT40GR120B-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.5A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款IGBT管/模塊典型集電極電流為40A，集射極擊穿電壓達1200V，具備較強的高電壓和大電流承載能力。其集射極飽和電壓為1.9V，在導通狀態下可有效降低功率損耗。內部反并聯二極管支持40A正向電流，正向壓降為2.5V，適用于高頻開關應用。該器件適合用于電源變換、電機控制及儲能系統等場景，具備良好的熱穩定性與可靠性，能夠適應較復雜的工作環境，滿足高效能功率轉換需求。
