IXYH40N120C3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.5A 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子設備。導通時集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，有效降低導通損耗，提升系統整體效率。內部反并聯二極管可承受40A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為2.5V，具備良好的續流能力與穩定性。該器件適合應用于電源變換器、儲能系統及高效能開關電路等場景，滿足對性能與可靠性有較高要求的電力電子設計方案。
