IXGH40N120A2-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:40A 參數(shù)2:電壓VCE:1200V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.9V 參數(shù)4:二極管正向電流:2.5A 標價:歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
本IGBT管/模塊具有40A集電極電流(Ic)和1200V集射極擊穿電壓(Vces),適用于中高功率電力電子系統(tǒng)。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.9V,有助于降低導通損耗,提升整體能效。內(nèi)置二極管支持40A正向電流(IF),正向壓降(Vf)為2.5V,具備良好的續(xù)流性能與穩(wěn)定性。該器件適合應用于電源轉(zhuǎn)換、儲能裝置及高效開關(guān)電路等場景,滿足對效率與可靠性有較高要求的電路設計方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
