IXYH120N65B3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:100A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.45V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.55A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具有100A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率應(yīng)用場合。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.45V，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。內(nèi)部二極管具備100A的正向電流（IF）能力，正向壓降（Vf）為1.55V，表現(xiàn)出良好的反向恢復(fù)特性。該器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計(jì)，適用于多種電力電子變換裝置，如電源轉(zhuǎn)換、智能電網(wǎng)設(shè)備及精密電機(jī)控制等場景，提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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