IXYH55N120C4-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:60A 參數(shù)2:電壓VCE:1200V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.65V 參數(shù)4:二極管正向電流:2.35A 標價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本IGBT模塊具備60A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于高電壓與大電流的工作環(huán)境。導通時,集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.65V,有助于降低導通損耗,提高系統(tǒng)效率。內置二極管可承受60A的正向電流(IF),其正向壓降(Vf)為2.35V,具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。該器件可廣泛應用于高效電源轉換、精密電機控制及電力調節(jié)設備中,滿足對功率密度和能效要求較高的場景需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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