IXYH55N120C4-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:60A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.65V 參數(shù)4：二極管正向電流:2.35A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本IGBT模塊具備60A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于高電壓與大電流的工作環(huán)境。導通時，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，有助于降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。內置二極管可承受60A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為2.35V，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。該器件可廣泛應用于高效電源轉換、精密電機控制及電力調節(jié)設備中，滿足對功率密度和能效要求較高的場景需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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