IGW100N60H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:100A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.45V 參數4：二極管正向電流:1.55A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT模塊具有100A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率應用場景。導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.45V，有效減少導通損耗，提升整體能效。內置二極管可承受100A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.55V，具備良好的導電性能與熱穩定性。該模塊可廣泛用于高效能電源轉換系統、精密電機驅動及電力調控裝置，為高要求電路設計提供可靠的技術支持。
