IXYH120N65C3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:100A 參數(shù)2:電壓VCE:650V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.45V 參數(shù)4:二極管正向電流:1.55A 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具備100A集電極電流(Ic)和650V集射極擊穿電壓(Vces),適合多種中高功率電力電子應(yīng)用。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.45V,有效降低導(dǎo)通損耗,提升整體能效。內(nèi)置二極管可承受100A正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.55V,具備良好的熱穩(wěn)定性和快速恢復(fù)特性。適用于電源變換、智能電網(wǎng)設(shè)備、高性能電機(jī)驅(qū)動等場景,提供高效、可靠的開關(guān)控制能力。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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