IGW40T120FKSA1-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:40A 參數2:電壓VCE:1200V 參數3:VCE(Sat):1.7V 參數4:二極管正向電流:1.85A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT模塊,具備40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces),適合高功率應用場景。在導通狀態下,集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V,能夠有效降低導通損耗。內置二極管可承受40A的正向電流(IF),其正向壓降(Vf)為1.85V,性能穩定可靠。該模塊適用于需要高效能開關與功率控制的設備,例如電力變換裝置、精密電機驅動系統及高精度電源管理設備,為復雜電路提供穩定的功率支持。
