IXXH60N65C4-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:75A 參數(shù)2:電壓VCE:650V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4:二極管正向電流:1.6A 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT模塊具有75A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于中高功率應(yīng)用場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V,能夠在導(dǎo)通狀態(tài)下保持較低的功耗。模塊內(nèi)置二極管,可承受75A的正向電流(IF),正向壓降(Vf)同樣為1.6V,具備良好的反向恢復(fù)性能。該器件適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機控制及能源管理等領(lǐng)域,提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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