IXYH75N65C3D1-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:75A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.6A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT管/模塊具備75A的集電極電流（Ic）與650V的集射極擊穿電壓（Vces），可適應較高功率需求的電路設計。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有效降低導通壓降，提升能量轉換效率。內置二極管支持75A正向電流（IF），正向壓降（Vf）同樣為1.6V，進一步優化系統整體性能。該器件適合用于多種高效電力控制與轉換場景，提供穩定可靠的運行表現。
