MIW40N65RA-BP-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備40A的集電極電流(Ic)與650V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于中高功率電力轉換場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V，在保證性能的同時兼顧導通壓降控制。內部續流二極管支持40A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.8V，具備良好的電流承載與續流特性。模塊封裝設計穩定，適用于多種高效能電源系統，提供可靠的開關表現和熱管理能力。
