IXYH40N120B3D1-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.5A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT管/模塊具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），可穩定支持高功率應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，有助于降低導通損耗。內置二極管可承受40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.5V，提升了整體能效與可靠性。該器件適用于需要高效能電力轉換與控制的設備，提供穩定的電路運行表現。
