15T65SD_TO-220F_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:50/管裝 參數1:電流IC:15A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.79V 參數4:二極管正向電流:1.68A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備15A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces),適合中高功率電力電子系統應用。導通時集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.79V,有助于控制導通損耗。內部續流二極管可承受15A的正向電流(IF),其正向壓降(Vf)為1.68V,表現出良好的導通性能與恢復特性。該器件結合穩定的封裝工藝,提供可靠的電氣絕緣與散熱能力,適用于對效率、耐壓及長期穩定性有要求的高頻開關電源、變頻設備及智能電網相關裝置。
