IKY75N120CH3XKSA1-HXY_TO-247P-4L_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P-4L 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:75A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.91V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款IGBT管/模塊具備75A的集電極電流（Ic）與1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于高功率密度和高效能轉換的應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.91V，在保證性能的同時兼顧導通損耗控制。內置二極管支持75A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.8V，具備良好的反向恢復特性與熱穩定性。該器件可廣泛應用于電力變換、能源管理、智能電網及高性能電源系統中，滿足對可靠性和效率有高要求的電路設計需求。
