AFGHL50T65SQD-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:50A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.6V 參數4:二極管正向電流:1.85A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備50A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于中等功率電力轉換場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V,有助于降低導通損耗,提升系統整體效率。內部集成二極管可承受50A的正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.85V,具備良好的熱穩定性和反向恢復性能。模塊采用通用封裝設計,便于安裝與維護,適合用于各類高效能電源設備中的電力調控應用。
