NGTB40N65FL2WG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:40A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.6V 參數4:二極管正向電流:1.8A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于中高功率電力轉換與控制場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V,在導通狀態(tài)下可有效降低損耗,提升系統效率。內置二極管支持40A正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.8V,具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。該器件適合對能效、運行穩(wěn)定性及安裝空間有較高要求的多樣化應用環(huán)境,滿足復雜工況下的長期使用需求。
