IKW60N60H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:75A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.6A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率場合下的電力控制與轉換。其導通時集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.6V，有效減少導通損耗，提高整體能效。內部二極管可承載最大75A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.6V，表現出良好的熱穩定性與可靠性。該器件適合用于對效率、穩定性和空間布局有較高要求的多種應用場合，滿足復雜環境下的長期運行需求。
