FGH40T65SQD-F155-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有40A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于中等功率場景下的高頻開關應用。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V，在保證性能的同時有助于降低導通損耗。內置續(xù)流二極管可承受最大40A正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.8V，具備穩(wěn)定的反向恢復特性。模塊采用優(yōu)化的封裝結構，散熱性能良好，適用于對能效與穩(wěn)定性有一定要求的電力電子系統(tǒng)設計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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