FGW75N65WE-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:75A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中功率電力轉換與控制場合。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，導通損耗較低，有助于提升系統整體能效。內置二極管可支持75A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好的導通與恢復特性。模塊采用優化的封裝結構，兼顧散熱性能與電氣絕緣，適合應用于電源設備、能量管理系統及其他高性能電子裝置中。
