HX40N120-TO247_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具有40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于中高功率場(chǎng)合下的開關(guān)與控制應(yīng)用。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V，在導(dǎo)通狀態(tài)下可保持較低的能量損耗，提升整體效率。內(nèi)置二極管支持40A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.85V，具備良好的導(dǎo)通特性和反向恢復(fù)性能。模塊設(shè)計(jì)注重?zé)峁芾砼c絕緣隔離，能夠在較復(fù)雜環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，適合用于電力轉(zhuǎn)換、高效能電源系統(tǒng)及相關(guān)電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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