STGYA50H120DF2-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.7A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT管/模塊，具備50A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），可適應較高功率的應用需求。導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，有助于在高效能運作的同時控制導通損耗。內置二極管支持最大50A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為2.7V，表現出良好的導通特性。該器件適用于電源變換裝置、電機控制電路以及多種高精度電子設備，為系統提供穩定且高效的功率處理能力。
