DGW40N120CTLQ_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為IGBT管/模塊，具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適合高電壓和較高電流的工作環(huán)境。在導(dǎo)通狀態(tài)下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置二極管可支持最大40A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.85V，性能穩(wěn)定。該器件適用于需要高效能功率控制的場(chǎng)景，如電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及精密電子設(shè)備中，提供可靠且高效的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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