IKW50N65H5-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.65V 參數4：二極管正向電流:1.45A 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為IGBT管/模塊，具備集電極電流（Ic）50A、集射極擊穿電壓（Vces）650V的電氣特性，適用于較高功率場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，有助于降低導通損耗。內置二極管可支持正向電流（IF）達50A，正向壓降（Vf）為1.45V，性能穩定。該器件適合用于需要高效能與高可靠性的電力電子系統中，如電源轉換及電機驅動等應用。
