IHW30N135R5-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:30A 參數(shù)2：電壓VCE:1350V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.65V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具備30A的集電極電流(Ic)和1350V的集射極擊穿電壓(Vces)，可穩(wěn)定工作于較高電壓與電流環(huán)境，適用于對(duì)功率控制要求較高的場(chǎng)景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.65V，能在導(dǎo)通狀態(tài)下保持較低損耗。內(nèi)置二極管的正向電流(IF)為30A，正向壓降(Vf)為1.85V，具備良好的反向恢復(fù)特性。模塊采用高可靠性封裝，具備較好的熱穩(wěn)定性與絕緣性能，適合應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、精密電源管理及相關(guān)配套設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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