IKW40N120H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:40A 參數2:電壓VCE:1200V 參數3:VCE(Sat):1.7V 參數4:二極管正向電流:1.85A 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A集電極電流(Ic)和1200V集射極擊穿電壓(Vces),支持高耐壓與大電流工作環境。導通狀態下,集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V,有效降低損耗并提升效率。內部集成二極管正向電流(IF)達40A,正向壓降(Vf)為1.85V,具備良好的開關特性和熱穩定性。該器件適用于各類高效能電源轉換系統、智能電網設備及新能源控制裝置中的高頻功率切換應用。
