XD040Q120AT1S3_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本IGBT管/模塊主要參數(shù)包括：集電極電流（Ic）為40A，集射極擊穿電壓（Vces）達(dá)1200V，具備較高的耐壓與載流能力；集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置續(xù)流二極管的正向電流（IF）為40A，正向壓降（Vf）為1.85V，支持高效能功率轉(zhuǎn)換。適用于各類高性能電源變換裝置、智能控制設(shè)備及新能源系統(tǒng)中的功率開關(guān)應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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