NGTB30N135IHRWG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:30A 參數2:電壓VCE:1350V 參數3:VCE(Sat):1.65V 參數4:二極管正向電流:1.85A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有30A的集電極電流(Ic)和1350V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于較高電壓等級的功率應用環境。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.65V,有效控制導通損耗。內置續流二極管支持30A正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.85V,提升系統能效表現。模塊設計符合標準封裝規范,便于安裝與散熱管理,適用于電源變換、電機控制等高性能電力電子系統方案。
