DGTD120T40S1PT-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:40A 參數2:電壓VCE:1200V 參數3:VCE(Sat):1.7V 參數4:二極管正向電流:1.85A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT管/模塊,具備集電極電流(Ic)40A、集射極擊穿電壓(Vces)1200V的高耐壓與大電流能力,適合需要高效能功率轉換的應用場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V,有效降低導通損耗,提高系統效率。內置二極管的正向電流(IF)可達40A,正向壓降(Vf)為1.85V,支持快速恢復特性。該器件適用于電源變換器、智能電網設備、新能源控制系統等領域,提供穩定可靠的功率控制性能。
