IXGH40N120B2D1-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:40A 參數(shù)2:電壓VCE:1200V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.9V 參數(shù)4:二極管正向電流:2.5A 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為IGBT管/模塊,具備40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于高電壓與大電流工作環(huán)境。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.9V,有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。內(nèi)置二極管可支持40A的正向電流(IF),正向壓降(Vf)為2.5V,具備良好的熱穩(wěn)定性和響應(yīng)特性。該器件適合用于需要高頻開關(guān)、功率控制精度高的應(yīng)用場(chǎng)景,如電源變換、智能電網(wǎng)及高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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