ITF48IF1200HR-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT管/模塊的集電極電流（Ic）為40A，集射極擊穿電壓（Vces）高達(dá)1200V，具備較強(qiáng)的電壓耐受能力，適用于中高功率電力轉(zhuǎn)換場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有助于控制導(dǎo)通損耗，提升整體能效。內(nèi)置二極管可承受40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，表現(xiàn)出良好的電流承載與反向恢復(fù)特性。該器件適合用于高效電源系統(tǒng)、儲能設(shè)備及智能電網(wǎng)相關(guān)應(yīng)用，滿足對性能與可靠性要求較高的設(shè)計方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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