ITF48IF1200HR-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:40A 參數(shù)2:電壓VCE:1200V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4:二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT管/模塊的集電極電流(Ic)為40A,集射極擊穿電壓(Vces)高達(dá)1200V,具備較強(qiáng)的電壓耐受能力,適用于中高功率電力轉(zhuǎn)換場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V,有助于控制導(dǎo)通損耗,提升整體能效。內(nèi)置二極管可承受40A的正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.85V,表現(xiàn)出良好的電流承載與反向恢復(fù)特性。該器件適合用于高效電源系統(tǒng)、儲能設(shè)備及智能電網(wǎng)相關(guān)應(yīng)用,滿足對性能與可靠性要求較高的設(shè)計方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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