IXYH40N65B3D1-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊集電極電流（Ic）為40A，集射極擊穿電壓（Vces）達650V，具備較強的電流承載與耐壓能力。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，在導通狀態下可有效控制功率損耗。內部續流二極管支持40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.8V，確保穩定可靠的續流性能。模塊設計緊湊，適配通用封裝標準，便于安裝與散熱，廣泛應用于電源轉換、電機驅動及智能電網等高要求場景。
