IXYH50N65C3H1-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:40A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.6V 參數4:二極管正向電流:1.8A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT管/模塊的集電極電流(Ic)為40A,集射極擊穿電壓(Vces)達650V,可支持較高功率應用場景。集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V,有助于降低導通損耗。內置二極管的正向電流(IF)為40A,正向壓降(Vf)為1.8V,具備良好的反向恢復性能。該器件適用于需要高效能與穩定性的電力轉換設備,如電源系統、儲能裝置及智能電網相關設備中,滿足高可靠性和高效率的設計需求。
