RGS00TS65DHRC11-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.65V 參數4：二極管正向電流:1.45A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款IGBT管/模塊具備50A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于較高功率需求的電力電子系統。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，有助于降低導通損耗并提升整體效率。內置二極管可支持50A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.45V，進一步優化了器件在高頻開關環境中的性能表現。該模塊在結構設計上兼顧熱穩定性和電氣絕緣性，適合多種高要求場景下的功率轉換與控制應用。
