IRGP4263D-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有50A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗，提升轉換效率。內置續流二極管支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，可在高頻開關與能量回饋應用中提供穩定性能。模塊結構設計優化，兼顧散熱效率與電氣性能，廣泛應用于電源變換、新能源控制及高效電機驅動等領域，滿足高壓高電流場景的技術需求。
