IRG7PH50K10D-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.9V 參數(shù)4：二極管正向電流:2.5A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為IGBT管/模塊，具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于較高功率的應(yīng)用場景。在導(dǎo)通狀態(tài)下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置二極管可支持40A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為2.5V，性能穩(wěn)定。該器件適合用于需要高效能開關(guān)與耐高壓特性的設(shè)備中，如電力轉(zhuǎn)換裝置、精密電機(jī)控制及高頻率電源系統(tǒng)等場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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