NGTB40N120IHRWG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT模塊具有40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于高功率、高電壓的應(yīng)用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。內(nèi)置的續(xù)流二極管具備40A的正向電流（IF）能力和1.85V的正向壓降（Vf），在高頻開關(guān)和能量回饋場合表現(xiàn)穩(wěn)定。模塊采用標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計，便于安裝與散熱，廣泛用于電源變換、新能源設(shè)備及精密電機(jī)控制等電力電子領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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