IRG7PH46UD-EP-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:40A 參數2:電壓VCE:1200V 參數3:VCE(Sat):1.7V 參數4:二極管正向電流:1.85A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A集電極電流(Ic)和1200V集射極擊穿電壓(Vces),適用于高耐壓、大功率應用場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V,在保證性能的同時降低了導通損耗。內置二極管支持40A正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.85V,具備良好的熱穩定性與可靠性。該模塊設計緊湊,效率高,適合用于對功率密度和轉換效率有較高要求的電力電子系統中。
