AOK50B65M2_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:50A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.65V 參數4:二極管正向電流:1.45A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊的集電極電流(Ic)為50A,集射極擊穿電壓(Vces)達650V,適用于中高功率電力電子設備。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.65V,在導通狀態下可有效控制能量損耗。內置二極管的正向電流(IF)同樣支持50A,正向壓降(Vf)為1.45V,表現出良好的導電性能與熱穩定性。模塊設計符合標準封裝規范,便于安裝和散熱,適合用于電源轉換、電機控制及電力調節等多樣化場景,提供穩定高效的功率處理能力。
