RGT00TS65DGC11-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.65V 參數4：二極管正向電流:1.45A 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為高性能IGBT管/模塊，具備50A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），可支持較高功率應用場景。在導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）僅為1.65V，有助于降低導通損耗。內置二極管可承受50A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.45V，表現出良好的能效特性。該器件適用于需要高效能、高穩定性的電力電子系統，如能源轉換裝置及精密控制設備，提供可靠的開關與導通性能，滿足復雜電路對動態響應和熱穩定性的要求。
