NGTB50N65FL2WG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:50A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.6V 參數4:二極管正向電流:1.85A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備50A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于多種中功率電力電子應用。導通狀態下,集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V,有助于降低導通損耗,提升系統效率。內置續流二極管可支持50A的正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.85V,具備良好的反向恢復特性。該器件適合用于電源轉換、電機控制及能源管理系統,能夠在較高頻率下穩定工作,滿足對性能與可靠性有要求的應用場合。
