IXYP15N65C3D1M-HXY_TO-220F_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流IC:15A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.79V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.68A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該IGBT模塊具備15A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子設(shè)備。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.79V，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。內(nèi)置二極管可承受15A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.68V，提升了反向恢復(fù)性能與整體可靠性。該器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計(jì)，便于散熱與安裝，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，為高性能電力電子裝置提供了良好的技術(shù)支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
