YGW75N65T1_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:75A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備75A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電子系統。導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有效降低導通損耗，提升整體能效。內置二極管支持75A正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.85V，表現出穩定的導通性能。該器件可廣泛應用于電力轉換、節能控制、精密電源等場景，為高效、可靠電路設計提供有力支持，滿足多樣化應用場景的技術需求。
