MSG75T65HFC0_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.65V 參數4：二極管正向電流:1.45A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有50A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于較高功率應用場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.65V，有助于降低導通損耗，提升系統效率。內置二極管可支持50A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.45V，具備良好的續流能力。模塊采用穩定封裝工藝，適用于需要高效能開關操作的電力電子設備，如電源轉換裝置、電機驅動器及智能電網相關設備等。
