MSG75T65HFC0_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:50A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.65V 參數4:二極管正向電流:1.45A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有50A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于較高功率應用場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.65V,有助于降低導通損耗,提升系統效率。內置二極管可支持50A的正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.45V,具備良好的續流能力。模塊采用穩定封裝工藝,適用于需要高效能開關操作的電力電子設備,如電源轉換裝置、電機驅動器及智能電網相關設備等。
