YGW40N65F1A2_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:40A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.6V 參數4:二極管正向電流:1.8A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A集電極電流(Ic)和650V集射極擊穿電壓(Vces),適用于中高功率應用場景。導通狀態下,集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V,有助于降低能耗并提升效率。內置二極管支持40A正向電流(IF),其正向壓降(Vf)為1.8V,表現出良好的導通特性。該器件可應用于電力變換、節能設備及精密控制電路中,提供高效、穩定的工作表現,滿足多樣化電子系統設計需求。
