YGW40N65F1A1_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有40A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗，提高系統效率。內置二極管可承受40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.8V，具備良好的續流能力與熱穩定性。模塊采用標準封裝設計，便于散熱和集成，廣泛用于電源變換、電機控制及智能電網等高性能電子系統中。
