SPT40N120T1B1T8TL-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT模塊具有40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，可滿足高功率場合下的開關(guān)需求。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置二極管具備40A的正向電流(IF)能力，正向壓降(Vf)為1.85V，提升了整體能效與穩(wěn)定性。模塊采用標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計，適用于多種高電壓、大電流應(yīng)用場景，如智能電網(wǎng)設(shè)備、新能源變換系統(tǒng)及精密電源管理裝置等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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